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現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志

評價信息:

影響因子:0.22

總被引頻次: 30

現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志 統(tǒng)計源期刊

Modern Applied Physics
主要欄目:

物理量的定義和測量的假設(shè)選擇理論數(shù)學理論與實驗

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雜志簡介:

現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志(季刊)知識豐富,內(nèi)容廣泛,貼近大眾,自2010年創(chuàng)刊以來廣受好評,注重視角的宏觀性、全局性和指導(dǎo)性,主要關(guān)注應(yīng)用物理領(lǐng)域的研究前沿和熱點,研究和應(yīng)用學術(shù)成果,增進應(yīng)用物理研究成果的國際化傳播交流,為科技工作者提供學術(shù)技術(shù)服務(wù)。

現(xiàn)代應(yīng)用物理歷史收錄

統(tǒng)計數(shù)據(jù)

被引次數(shù)和發(fā)文量統(tǒng)計數(shù)據(jù)

雜志被引次數(shù)

雜志發(fā)文量

年度被引次數(shù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)

2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

本刊文章見刊的年份

2014 2013

在2014年的被引次數(shù)

4 10

被本刊自己引用的次數(shù)

2 1

被引次數(shù)的累積百分比

0.2857 1

本刊文章見刊的年份

2015 2014 2013

在2015年的被引次數(shù)

1 14 13

被本刊自己引用的次數(shù)

0 2 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0357 0.5357 1

本刊文章見刊的年份

2016 2015 2014 2013

在2016年的被引次數(shù)

2 10 29 19

被本刊自己引用的次數(shù)

0 1 3 7

被引次數(shù)的累積百分比

0.0333 0.2 0.6833 1

本刊文章見刊的年份

2017 2016 2015 2014 2013

在2017年的被引次數(shù)

4 15 19 28 2

被本刊自己引用的次數(shù)

1 7 6 8 0

被引次數(shù)的累積百分比

0.0588 0.2794 0.5588 0.9706 1

本刊文章見刊的年份

2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2018年的被引次數(shù)

3 19 21 11 13 8

被本刊自己引用的次數(shù)

1 5 2 1 2 4

被引次數(shù)的累積百分比

0.04 0.2933 0.5733 0.72 0.8933 1

本刊文章見刊的年份

2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2019年的被引次數(shù)

2 19 14 21 12 19 8

被本刊自己引用的次數(shù)

0 2 4 4 1 0 2

被引次數(shù)的累積百分比

0.0211 0.2211 0.3684 0.5895 0.7158 0.9158 1

本刊文章見刊的年份

2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2020年的被引次數(shù)

4 16 18 12 12 6 12 8

被本刊自己引用的次數(shù)

1 3 4 4 2 1 2 3

被引次數(shù)的累積百分比

0.0455 0.2273 0.4318 0.5682 0.7045 0.7727 0.9091 1

本刊文章見刊的年份

2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2021年的被引次數(shù)

8 16 23 16 12 13 6 7 12

被本刊自己引用的次數(shù)

0 4 1 1 5 1 2 0 2

被引次數(shù)的累積百分比

0.0708 0.2124 0.4159 0.5575 0.6637 0.7788 0.8319 0.8938 1

本刊文章見刊的年份

2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013

在2022年的被引次數(shù)

5 33 29 29 19 33 14 4 11 12

被本刊自己引用的次數(shù)

0 4 6 8 9 16 4 0 2 5

被引次數(shù)的累積百分比

0.0265 0.2011 0.3545 0.5079 0.6085 0.7831 0.8571 0.8783 0.9365 1

文章摘錄

電容式射頻微機電系統(tǒng)開關(guān)的納秒脈沖擊穿及損傷特性

一種工作在基模的低磁場Ka波段RBWO優(yōu)化設(shè)計

同軸薄膜電容器結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計

3MeV質(zhì)子輻照下背照式CMOS圖像傳感器固定模式噪聲的退化行為

SiC結(jié)勢壘肖特基二極管的重離子單粒子效應(yīng)

高能X射線輻照對NPN雙極晶管體可靠性的影響

γ輻照下4T CMOS有源像素傳感器的滿阱容量退化機理

薄壁圓筒對藥型罩切割及徑向擴張的數(shù)值仿真

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